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    1. about fusemi
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      我們專注于
      先進的功率半導體國產化

        成都森未科技有限公司(以下簡稱“森未科技”)成立于2017年7月,先后被認定為成都市高新區雛鷹企業、成都市集成電路設計企業、國家高新技術企業,專注于先進功率半導體器件的國產化。

      森未科技核心技術團隊由清華大學和中國科學院的博士組成,長期專注于功率半導體器件研發,深耕IGBT芯片技術和產業化10年以上,累計取得相關技術專利40多項,成功開發不同電壓等級和應用場景的芯片超過100款,是國內產品線覆蓋最廣的IGBT功率半導體公司之一。森未科技的芯片產品全面采用溝槽柵+場截止技術,并已應用于工業變頻、特種電源、感應加熱、新能源發電以及新能源車等多個市場領域。

      森未科技現有技術團隊近30人,以清華大學、中國科學院、四川大學、電子科技大學等高校畢業的博士和碩士研究生組成國內IGBT芯片高水平研發和產業化人才團隊,其中博士研究生5人,70%研發人員具有碩士學位,形成了初具規模的研發人才梯隊。 器件團隊工藝技術積累來自多年在晶圓生產線的一線工作經驗,不僅熟悉國內各條晶圓線的工藝條件 ,而且在日本有多年的先進工藝開發經驗, 應用團隊在中央企業具有超過十年的IGBT應用開發經驗, 對IGBT在終端場景的實際應用具有深入的理解。

      10

      10年以上
      IGBT研發經驗

      40

      累計取得
      40多項技術專利

      100

      成功開發
      超百款IGBT產品

      發展歷程
      • 超高密度IGBT、SiC功率器件
        2022
      • 高密度、高頻、高壓IGBT
        2020
      • 第七代IGBT技術發布
        2019
      • 600-1700V IGBT 系列化
        2018
      • 成都森未科技有限公司成立
        2017
      • 首顆定制化1200V/100A IGBT
        2016
      • 首顆Trench-FS  IGBT
        2015
      • 首顆Trench-NPT  IGBT
        2014
      • 首顆Planar-FS IGBT
        2013
      • 組建技術團隊
        2012
      企業文化
      功率半導體領域領航者

      企業愿景

      致力于成為國際一流的功率半導體行業引領者

      核心價值觀

      專業  創新  誠信  共贏
      自主知識產權 IIPR
      森未科技擁有多項核心專利,自主研發IGBT系列芯片處于國內領先水平。公司對產品設計和品質嚴苛追求,不斷豐富完善產品系列,為客戶提供穩定、專業、高效的解決方案,滿足不同領域的客戶需求。
      截止2020年,公司團隊已申請IGBT相關專利超過40項,其中發明專利授權近20項。
      合作伙伴
      業務分布
      森未科技業務覆蓋地域由四川、廣東逐漸分布至上海、浙江、南京、西安、武漢、山東等地,出口至韓國、日本、新加坡等國家,已成為中國領先的IGBT產品及方案供應商。
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